五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

• 作者: 侯亚奇 刘家俊 吴敏生 庄大明 张弓 王超
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钽 金属-绝缘体-金属 I-U特性 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 61-63,67
• 页数: 4页
• 分类号: TM216.3
• 字数: 2153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.01.016

摘要

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽(Ta2O5)薄膜,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量,椭偏仪测试了Ta2O5薄膜的厚度和折射率,XRD分析了薄膜的晶体结构,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响.研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的.利用金属-绝缘体(介质膜)-金属(MIM)结构初步对Ta2O5薄膜进行了电学性能的测试:皮安电流电压源测试了薄膜的I-U特性,制备出的薄膜折射率在2.1～2.2,MIM的I-U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王超	清华大学机械工程系薄膜实验室	45	549	11.0	22.0
2	张弓	清华大学机械工程系薄膜实验室	81	914	16.0	27.0
3	庄大明	清华大学机械工程系薄膜实验室	104	1374	22.0	32.0
4	吴敏生	清华大学机械工程系薄膜实验室	60	904	18.0	27.0
5	侯亚奇	清华大学机械工程系薄膜实验室	16	287	10.0	16.0
6	刘家俊	清华大学机械工程系薄膜实验室	5	21	2.0	4.0