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摘要:
通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法.
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文献信息
篇名 卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究
来源期刊 光电子技术与信息 学科 工学
关键词 卢瑟福背散射实验沟道效应 半导体可饱和吸收镜 离子注入
年,卷(期) 2003,(6) 所属期刊栏目 研究与实验
研究方向 页码范围 17-19
页数 3页 分类号 TN365
字数 1955字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马骁宇 中国科学院半导体研究所 93 616 12.0 21.0
2 王勇刚 中国科学院半导体研究所 37 279 10.0 14.0
3 林涛 中国科学院半导体研究所 31 404 9.0 19.0
4 刘媛媛 中国科学院半导体研究所 30 168 8.0 12.0
5 江李 中国科学院半导体研究所 3 9 2.0 3.0
传播情况
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2004(1)
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
卢瑟福背散射实验沟道效应
半导体可饱和吸收镜
离子注入
研究起点
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研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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