离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究

• 作者: 刘志凯 周剑平 宋书林 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火 低能离子束外延 GaAs衬底
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 350-352
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 1841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.05.013

摘要

利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化.结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400 ℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶.