氮化镓薄膜的研究进展

• 作者: 李忠 杨利 薛成山 魏芹芹
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 薄膜 半导体
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 39-44
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4127字
• 语种: 中文

摘要

主要讨论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	山东师范大学物理与电子学院	12	72	5.0	8.0
2	魏芹芹	山东师范大学物理与电子学院	14	58	4.0	7.0
3	薛成山	山东师范大学物理与电子学院	117	476	11.0	13.0
4	李忠	山东师范大学物理与电子学院	55	330	8.0	17.0