两面顶技术低温超高压烧结AlN陶瓷的研究

• 作者: 卢忠远 李丹 滕元成 鲁伟员
• 来源期刊: 山东陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝基片 两面顶技术 低温超高压烧结
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 科学实验
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75+8.12
• 字数: 1825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0639.2003.05.002

摘要

本文研究了掺杂不同质量分数的Y2O3的AIN陶瓷在超高压状态下烧结的物相组成和微观结构.研究表明,Y2O3是有效的低温烧结助剂,在低温超高压烧结下,掺杂不同比例烧结助剂的AlN陶瓷的第二相均为Al5Y3O12,在实验条件为4.4万个大气压,1500℃的温度,1h的烧结时间下,超高压烧结AIN陶瓷有着较好的微观结构,热导率可达到130W/m·K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丹		31	214	7.0	13.0
2	滕元成		61	475	11.0	18.0
3	卢忠远		147	1630	21.0	33.0