GaN基量子点结构的喇曼特征

• 作者: 熊贵光 顾海涛
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 喇曼频移 微扰理论
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 激光技术
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2003.01.009

摘要

采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN 量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊贵光	武汉大学物理科学与技术学院	23	95	5.0	8.0
2	顾海涛	武汉大学物理科学与技术学院	4	24	2.0	4.0