GaN半导体中InN量子点的结构性质

• 作者: 康俊勇 李书平 郑江海 陈珊珊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 量子限域效应 电子态密度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 88-92
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 412字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.01.018

摘要

采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质.建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构.从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点.c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高.