化学气相沉积制备MgB2超导薄膜

• 作者: 刘震 吕惠宾 周岳亮 张芹 朱亚斌 杨国桢 王淑芳 陈正豪
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 230-233
• 页数: 4页
• 分类号: TM26
• 字数: 2079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.050

摘要

本文报道了利用化学气相沉积技术制备MgB2超导薄膜.首先在MgO(111)基片上化学气相沉积一层B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理.退火后得到的MgB2薄膜在MgO(111)基片上呈随即取向生长,Mg、B原子比接近于1∶2.4;薄膜表面光滑致密,晶粒粒度约为0.5μm.电阻测量和直流磁测量表明薄膜超导转变温度为38K,转变宽度仅为0.1K.毕恩公式计算结果显示MgB2薄膜的临界电流密度在0T、10K时高达2×107A/cm2.