基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

• 作者: 吴春红 朱恩 王志功 王雪艳 程树东 郁炜嘉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 射频集成电路 压控振荡器 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 438-440,437
• 页数: 4页
• 分类号: TM855
• 字数: 1103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.027

摘要

基于0.18 μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0.65×0.79 mm2,1.8V电源供电,总功耗155 mW,中心频率6 GHz,调谐范围1 GHz.可应用于IEEE802.11a WLAN系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	朱恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	64	419	9.0	16.0
3	王雪艳	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	44	3.0	4.0
4	吴春红	东南大学射频与光电集成电路研究所	11	33	4.0	5.0
5	程树东	东南大学射频与光电集成电路研究所	5	21	3.0	4.0
6	郁炜嘉	东南大学射频与光电集成电路研究所	3	16	2.0	3.0