碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

• 作者: 姬荣斌 李亚文 陈建才 马庆华 黄晖
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 微波 光电导衰减 少子寿命
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 42-44,48
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|TN213
• 字数: 2046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2003.06.012

摘要

详细说明了用微波反射光电导衰减(μ-PCD)测量碲镉汞材料(MCT)中少数载流子寿命的原理.μ-PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为20 ns至3 ms,测量温度可以从80 K到325 K变化,整个系统的测量由计算机控制自动进行,可以对样品进行X-Y平面扫描测量并进行结果数据分析.同时,还报道了用μ-PCD技术测量液相外延MCT薄膜材料少数载流子寿命的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	黄晖		18	107	6.0	9.0
3	李亚文		10	31	4.0	5.0
4	马庆华		12	47	4.0	6.0
5	陈建才		6	31	4.0	5.0