微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命

• 作者: 陆绮荣 韦艳冰 高冬美 黄彬
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 少数载流子寿命 微波光电导 4H-SiC 注入水平
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 激光与电子技术应用
• 页码范围: 610-612,631
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2011.05.010

摘要

为了更好地了解N型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,描述了其测试原理和实验装置,并讨论了不同的激发强度下,其少数载流子寿命的变化.结果表明,改变入射激光能量(即光子注入水平),样品电压峰值与激发强度成正比,对其载流子寿命几乎没有影响.该方法能方便快捷地测量载流子的寿命,对SiC材料性能的研究具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高冬美	桂林理工大学机械与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
2	陆绮荣	桂林理工大学现代教育中心	19	89	5.0	8.0
3	韦艳冰	桂林理工大学机械与控制工程学院	4	10	2.0	3.0
4	黄彬	桂林理工大学机械与控制工程学院	6	11	2.0	3.0