热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命

• 作者: 余学功 崔灿 李立本 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 少子寿命 钝化 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.011

摘要

用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700～1100℃范围热氧化不同时间(0.5～4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好;而且发现热氧化1.5h后硅片的少子寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(＞1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
6	崔灿	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	136	4.0	7.0