微电子陶瓷封装的金属化技术

• 作者: 张炳渠 戴增荣 赵平
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3陶瓷 共烧工艺 粒度 收缩率匹配性 金属化强度
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷和陶瓷-金属封接应用技术专辑
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN105
• 字数: 2866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2003.04.015

摘要

由于陶瓷具有优良的综合特性,被广泛用于高可靠性微电子封装,而多层陶瓷的金属化技术是微电子陶瓷封装的关键技术之一.本文介绍了多层陶瓷共烧工艺技术,开展了3种不同粒度的W粉与陶瓷的匹配烧结试验及金属化强度测试,首先通过W粉粒径分布测试,确定了3种试验W粉的粒度;其次进行了收缩率匹配实验,确定3号W粉与陶瓷A的匹配性最好,平均翘曲度为0.005,2号W粉与陶瓷B的匹配性最好,平均翘曲度为0.008;最后测试了金属化抗拉强度,3种粒度的W粉金属化层都能与陶瓷B形成好的结合强度.实验表明,合理的W粉粒度选择有利于提高金属化与陶瓷的匹配烧结质量及金属化的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张炳渠	中国电子科技集团公司第十三研究所封装专业部	3	10	1.0	3.0
2	赵平	中国电子科技集团公司第十三研究所封装专业部	2	12	2.0	2.0
3	戴增荣	中国电子科技集团公司第十三研究所封装专业部	1	10	1.0	1.0