RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

• 作者: 刘渝珍 叶甜春 孙宝银 石万全 赵玲莉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LPCVD 氮化硅薄膜 快速退火(RTA)
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.01.011

摘要

在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究中心	200	911	14.0	18.0
2	刘渝珍		5	26	2.0	5.0
3	石万全		1	3	1.0	1.0
4	赵玲莉	中国科学院微电子研究中心	4	54	3.0	4.0
5	孙宝银	中国科学院微电子研究中心	2	10	2.0	2.0