Si(337)表面的STM研究

• 作者: 万维强 侯士敏 刘惟敏 柏亚军 申自勇 薛增泉 赵兴钰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si(337) 高指数面 扫描隧道显微镜
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 231-234
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.04.003

摘要

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),研究了Si(337)高指数面的形貌和原子结构,发现Si(337)表面平台的生长与退火速度有关,相对较慢的退火速度有利于生长尺寸更大、结构更完整的平台.高分辨STM结果显示Si(337)表面平台原子结构为(5 5 12)的周期性结构,表明Si(337)表面退火过程中稳定性较差,易重构成临近的更稳定的高指数面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛增泉	北京大学电子学系	66	466	11.0	19.0
2	刘惟敏	北京大学电子学系	40	283	8.0	15.0
3	赵兴钰	北京大学电子学系	28	187	7.0	13.0
4	侯士敏	北京大学电子学系	42	265	8.0	15.0
5	申自勇	北京大学电子学系	13	95	5.0	9.0
6	万维强	北京大学电子学系	1	3	1.0	1.0
7	柏亚军	北京大学电子学系	2	4	1.0	2.0