B位取代PZT体系的电子结构与压电特性研究

• 作者: 周静 孙华君 徐庆 陈文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 压电陶瓷 电子结构 共价键级 压电性能
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 464-468
• 页数: 5页
• 分类号: O641
• 字数: 2939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.013

摘要

采用自洽场离散变分Xα计算方法,分别计算了Pb(Zr1/2Ti1/2)O3(简称PZT)、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3(简称PZN)、和Pb(Mn1/3Sb2/3)O3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影响.结果表明,PZT铁电相较顺电相稳定,O的2p轨道与B位原子的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件,杂化的强弱可表明铁电性的强弱;Mn1/3Sb2/3、Zn1/3Nb2/3取代(Zr, Ti)若生成四方钙态矿结构,体系总能量降低、轨道杂化增强,可以提高PZT体系的铁电性能,若生成立方烧绿石结构,由于B-O(//轴向)与B-O(⊥轴向)共价键强度差别太大,造成体系结构的不稳定,将导致铁电性的丧失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐庆	武汉理工大学材料科学与工程学院	100	1060	19.0	25.0
2	陈文	武汉理工大学材料科学与工程学院	216	1824	21.0	26.0
3	周静	武汉理工大学材料科学与工程学院	122	928	18.0	22.0
4	孙华君	山东理工大学材料科学与工程学院	11	106	7.0	10.0