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Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响
Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响
作者:
冯双久
时亮
李广
李晓光
李毕友
马杰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要:
通过对少量Zn掺杂Bi2212单晶样品不同温度下的磁滞回线的测量,根据Bean临界态模型得到了样品在不同温度和磁场下的临界电流密度.发现不同温度下的临界电流密度与磁场的关系可以用Jc(H,T)=Jc(0,T)exp(-Hα)进行拟合,并且拟合参量α随温度的上升而增大,而在Pb掺杂和纯Bi2212单晶中α值基本上是不随温度变化的.将得到的Jc与Pb掺杂和纯Bi2212单晶的结果进行比较,发现在相同的温度和磁场下Zn掺杂样品具有最高的临界电流密度,表明少量Zn掺杂使得样品的临界电流密度得到提高.Zn掺杂对Bi2212体系临界电流密度的提高主要来源于在材料中引入了有效的涡旋钉扎中心,而Pb掺杂体系中Jc的提高是体系的层间耦合增强导致的结果.
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文献信息
篇名
Zn掺杂对Bi2212单晶临界电流密度的影响
来源期刊
低温物理学报
学科
工学
关键词
年,卷(期)
2003,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
46-49
页数
4页
分类号
TM26
字数
1920字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
时亮
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
13
88
4.0
9.0
2
马杰
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
32
227
10.0
14.0
3
李晓光
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室
55
673
9.0
25.0
4
李广
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
22
32
3.0
5.0
5
冯双久
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
7
4
1.0
1.0
6
李毕友
中国科学技术大学结构分析开放研究实验室材料科学与工程系
1
1
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
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引文网络
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(0)
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(0)
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(0)
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参考文献(0)
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2007(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温物理学报
主办单位:
中国科学技术大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-3258
CN:
34-1053/O4
开本:
大16开
出版地:
安徽省合肥市金寨路96号
邮发代号:
26-136
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
1833
总下载数(次)
3
总被引数(次)
4241
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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