纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性

• 作者: 何宇亮 刘宏 刘明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结二极管 纳米硅薄膜 输运机理
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2875-2878
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.11.039

摘要

用纳米硅(nc-Si∶H)薄膜制成了纳米硅/单晶硅(nc-Si∶H/c-Si)异质结二极管,对nc-Si∶H/c-Si异质结的特性进行了研究,它具有很好的温度稳定性.温度从20℃上升到200℃,I-V曲线只有很小的漂移.对nc-Si∶H/c-Si异质结二极管的输运机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	何宇亮	南京大学物理系	11	78	5.0	8.0
3	刘宏	苏州科技大学应用物理系	6	15	2.0	3.0