1kV场效应管纳秒高压宽脉冲驱动源

• 作者: 陈静
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应管 纳秒高压宽脉冲驱动源 漏源电压 电磁干扰
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 311-312
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。