基于功率MOS型场效应管的4 kV纳秒脉冲源

• 作者: 陈敏德 陈静
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: "过"驱动 功率 MOS 型场效应管 纳秒 高压 宽脉冲
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 230-232
• 页数: 3页
• 分类号: TL823
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2008.03.017

摘要

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究.利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敏德	中国工程物理研究院电子工程研究所	8	41	5.0	6.0
2	陈静	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	93	6.0	9.0