GaN基半导体材料研究进展

• 作者: 徐茵 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 半导体激光器 多量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与技术
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 4200字
• 语种: 中文

摘要

简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
5	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
9	郎佳红	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	56	4.0	5.0