Si表面离子束辅助沉积Ti纳米膜的研究

• 作者: 严东旭 张厚亮 梁红伟 白彬 陆雷
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅 表面离子束辅助沉积 钛 纳米薄膜 晶粒结构
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 467-468
• 页数: 2页
• 分类号: O484.1

摘要

用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。