低TCR锰铜薄膜的制备

• 作者: 叶伏秋
• 来源期刊: 湖北民族学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 锰铜 薄膜 电阻温度系数 直流磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-8423.2004.02.014

摘要

根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coefficient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.