新型半导体n+p结构气敏元件研究

• 作者: 吴兴惠 杨留方 王毓德 赵鹤云 邹慧
• 来源期刊: 昆明理工大学学报(理工版)
• 学科: 工学
• 关键词: 选择性 灵敏度 热稳定性 半导体元件 气敏元件
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与冶金
• 页码范围: 25-28,40
• 页数: 5页
• 分类号: TN379
• 字数: 2029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-855X.2004.01.007

摘要

讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n+p结构气敏元件. 理论分析表明,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度. 通过实验,获得了性能较好的n+p结构酒敏元件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴兴惠	云南大学佐波传感技术研究中心	86	1144	19.0	29.0
2	杨留方	玉溪师范学院物理系	11	69	5.0	8.0
6	赵鹤云	云南大学佐波传感技术研究中心	42	292	9.0	14.0
7	王毓德	云南大学佐波传感技术研究中心	23	201	8.0	14.0
8	邹慧	云南南方电力职工大学教研部	1	5	1.0	1.0