脉冲激光诱发单粒子效应的机理

• 作者: 韩建伟 黄建国
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 单粒子效应 脉冲激光 半导体 器件
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 121-130
• 页数: 10页
• 分类号: O4
• 字数: 5022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7275.2004.02.001

摘要

利用脉冲激光模拟单粒子效应是近年来兴起的一种新型的单粒子效应地面模拟手段,研究了皮秒脉冲激光与半导体器件相互作用的方式以及诱发单粒子效应的机理,并针对实验中常用的Nd:YAG和Ti:Sapphire两种激光和硅半导体器件进行了计算及比较分析,同时根据计算结果提出了模拟实验中脉冲激光参数选择的主要依据和典型的参数范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄建国	中国科学院空间科学与应用研究中心	36	450	14.0	20.0
2	韩建伟	中国科学院空间科学与应用研究中心	90	549	14.0	18.0