场致发射尖端电场分布及其模拟误差研究

• 作者: 尹涵春 屠彦 秦少玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 网格尺寸 发射尖端 电场强度 模拟误差
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 564-567
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.006

摘要

场致发射器件中,发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系,较为精确地计算尖端附近场强对精确计算发射电流是至关重要的.本文主要研究了不同网格划分对模拟结果产生的影响,对比了解析解和模拟结果,分析了网格细化过程中产生的误差;讨论了尖端半径、发射体高度、锥尖距离对球形顶圆锥模型尖端场强的影响.研究表明,随着网格尺寸的减小,模拟精度可以得到提高;但是当网格尺寸减小到某一数值后,误差值反而增大.最小网格尺寸约为尖端半径的1.5%时模拟结果最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠彦	东南大学东飞显示研究开发中心	87	325	8.0	13.0
2	尹涵春	东南大学东飞显示研究开发中心	67	585	10.0	22.0
3	秦少玲	东南大学东飞显示研究开发中心	6	26	3.0	5.0