Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率

• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶 电阻率 纳米压入 硬度
• 年，卷（期）: 2004,（z2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4|TG113.22+4
• 字数: 2446字
• 语种: 中文

摘要

Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta、TaN的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标.