高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

• 作者: 冯健峰 赵春波
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: BCD LDPMOS VDNMOS MEDICI
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 68-69
• 页数: 2页
• 分类号: TN47
• 字数: 2235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2004.07.029

摘要

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵春波	西安电子科技大学微电子所	4	26	2.0	4.0
2	冯健峰	西安电子科技大学微电子所	1	1	1.0	1.0