残余氯在等离子体增强化学气相沉积TiN膜中的偏聚过程研究

• 作者: 谢飞
• 来源期刊: 江苏工业学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 偏聚 残余氯 氮化钛
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.453|TG174.444
• 字数: 2973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-0411.2004.01.001

摘要

通过分析等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的特点,对残余氯的存在机制、等离子体场中离子轰击对氯在TiN膜内分布的影响作了进一步的讨论.运用经典偏聚理论,根据空位、位错特点,建立了PECVD过程中离子轰击促进氯向晶界、微孔表面等界面处偏聚的模型,从而完满地解释了文献中的有关实验现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢飞	江苏工业学院材料科学与工程系	18	93	6.0	8.0