P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究

• 作者: 姚为 赵大庆
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 关键词: P型半导体 透明导电氧化物 烧结 CuAlO2
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 333-336
• 页数: 4页
• 字数: 3180字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

摘要

性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件.本文以纳米级Al2O3粉体和微米级Cu2O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2.以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷,其迁移率达到27 cm2·V-1·s-1.以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为2.1 cm2·V-1·s-1的P型透明半导体薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵大庆	清华大学机械工程系	24	342	10.0	18.0
2	姚为	清华大学机械工程系	4	82	4.0	4.0