高性能高动态范围的CMOS模拟开关

• 作者: 何茗
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 自举模拟开关 满电源 集成电路 设计
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN433

摘要

介绍提高信号幅度的自举模拟开关的设计，输入信号通过该开关后的动态范围达到满幅度。采用0．34μm的CMOS工艺，用Hspice进行仿真，并给出仿真结果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何茗		12	45	4.0	6.0