低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

• 作者: 刘学建 张俊计 金承钰 黄智勇 黄莉萍
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 379-384
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 2604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.020

摘要

以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730～830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄莉萍	中国科学院上海硅酸盐研究所	36	659	17.0	24.0
2	刘学建	中国科学院上海硅酸盐研究所	54	555	16.0	20.0
3	张俊计	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	245	7.0	7.0
4	金承钰		11	89	5.0	9.0
5	黄智勇	中国科学院上海硅酸盐研究所	11	239	8.0	11.0