从P-a-SiC:H到P-μc-Si:H过程中材料特性的变化

• 作者: 任慧智 孙建 张晓丹 朱锋 耿新华 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-PECVD P型微晶硅 P型非晶硅碳
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 152-155
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.005

摘要

采用RF-PECVD方法,在P-a-SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,得到P型微晶硅薄膜材料(暗电导率为5.22×10-3S/cm,光学带隙大于2.0eV).在这个过程中可以明显观察到碳、硼抑制材料晶化的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
3	孙建	南开大学光电子所	67	311	10.0	14.0
4	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
5	张晓丹	南开大学光电子所	57	247	7.0	14.0
6	魏长春	南开大学光电子所	24	126	6.0	10.0
7	任慧智	南开大学光电子所	2	31	2.0	2.0