等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较

• 作者: 刘博阳 刘大力 常玉春 杜国同 杨晓天 王新强 王金忠 胡礼忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 氧化锌 掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 143-146
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.007

摘要

利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料.