双束质子辐照砷化镓光电导探测器的I-V特性

• 作者: 林理彬 葛兆云
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 质子 GaAs 探测器 光电流 暗电流
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 457-460
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33|TN304.23
• 字数: 2188字
• 语种: 中文

摘要

对用能量为7.5MeV和20MeV,注量为1011～1013cm-2的质子辐照后的砷化镓材料制作的光电导探测器的光电流和暗电流进行了测试,并由此推得电导率的变化.结果表明,经过能量为7.5MeV的质子改性后的砷化镓探测器相对于未改性的附加光电导率Δσ减少,而且随着辐照注量的增加而越小,而对于先用能量为20MeV质子辐照后再用能量为7.5MeV的质子辐照的砷化镓材料制作的探测器,其附加光电导率Δσ的减少则更为明显.对上述现象进行了分析,并根据其相应关系预测了该种探测器的响应时间、灵敏度、拖尾现象及受X射线激发的输出脉冲的后延的变化情况.