SOI MOSFET寄生双极晶体管效应的研究

• 作者: 海潮和 赵洪辰 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 寄生双极晶体管 增益 掺杂浓度 硅膜厚度 硅化物
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 575-577
• 页数: 3页
• 分类号: TN386|TN405
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.009

摘要

研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益.原因是:①基区杂质浓度增加,减弱了发射极向基区注入多子,增强了基区向发射区的少子注入;②增加硅化物厚度会增加其横向扩展,减小发射极的注入效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	赵洪辰	中国科学院微电子研究所	10	29	4.0	5.0
4	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0