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硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米
硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米
作者:
蒋致诚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硬盘
GMR
读传感器
纳米器件
摘要:
近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100%)已超出摩尔定律的预言.这种惊人的高速增长中,最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构,即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用.事实上,巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化,并且形成大规模产业.这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限,进入纳米科技领域实质性进步.
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文献信息
篇名
硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米
来源期刊
物理
学科
关键词
硬盘
GMR
读传感器
纳米器件
年,卷(期)
2004,(7)
所属期刊栏目
物理学和高新技术
研究方向
页码范围
529-533
页数
5页
分类号
字数
5057字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0379-4148.2004.07.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
蒋致诚
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节点文献
硬盘
GMR
读传感器
纳米器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
0379-4148
CN:
11-1957/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-805
创刊时间:
1951
语种:
chi
出版文献量(篇)
4702
总下载数(次)
20
总被引数(次)
40280
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