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摘要:
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制.
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浅谈单壁碳纳米管与多壁碳纳米管的差异
单壁碳纳米管
多壁碳纳米管
差异
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 单管卧式热壁型PECVD设备
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 PECVD 射频 均匀性 生产率 氮化硅
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目 成膜技术
研究方向 页码范围 23-25,50
页数 4页 分类号 TN304.055
字数 2296字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑建宇 4 4 2.0 2.0
2 钟华 3 8 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2004(0)
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  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2009(1)
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2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
PECVD
射频
均匀性
生产率
氮化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
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