铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析

• 作者: 丁印锋 丁宝卫 刘正民 包良满 张小东 朱德彰 李公平
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铜团簇束 碰撞沉积 单晶硅 XPS谱 薄膜中的原子结合能
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 191-194
• 页数: 4页
• 分类号: O484.2
• 字数: 1731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2004.02.005

摘要

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束 ,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的 P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品.用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没.用能量3 keV流强为4～6 μA/cm2*!Ar+束, 预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10 kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、 CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李公平	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	75	243	7.0	12.0
3	朱德彰	中国科学院核分析技术研究重点实验室	26	83	5.0	8.0
4	刘正民	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	12	45	3.0	6.0
5	丁宝卫	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	12	22	2.0	4.0
6	张小东	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	12	35	3.0	5.0
9	丁印锋	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	1	2	1.0	1.0