PZT薄膜晶化过程的相变及铁电畴监测

• 作者: 张鹰 曾慧中 李言荣 蒋书文 魏贤华 黄文
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅 薄膜 快速热处理 结晶 相变 铁电畴
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 1500-1504
• 页数: 5页
• 分类号: TM277
• 字数: 3188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.12.011

摘要

采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO2/Si上制备了非晶态Pb(Zr0.48Ti0.52)O3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜.用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microscopy,PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴.结果表明:PZT薄膜晶化发生在550℃,PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴.650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向,用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴.由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)%和(97.3±0.2)%.PFM结合XRD,AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏贤华	电子科技大学微电子与固体电子学院	9	57	5.0	7.0
2	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
3	黄文	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	128	6.0	11.0
4	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
5	蒋书文	电子科技大学微电子与固体电子学院	30	197	7.0	12.0
6	曾慧中	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	50	4.0	6.0