提高InAs／GaAs量子点半导体材料发光效率的方法

• 作者: 季亚林 李志锋 陆卫 陈效双
• 来源期刊: 科技开发动态
• 学科: 工学
• 关键词: InAs／GaAs 量子点 半导体材料 发光效率
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 49
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所	95	442	12.0	16.0
2	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所	53	271	8.0	12.0
3	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所	37	186	8.0	12.0
4	季亚林	中国科学院上海技术物理研究所	4	16	1.0	4.0