用AFM研究硅基上沉积铜膜生长过程

• 作者: 何山虎 包良满 曹博 李公平
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 AFM 形貌 Volmer-Weber模式
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 159-161,186
• 页数: 4页
• 分类号: O484|O485
• 字数: 1368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2005.03.007

摘要

室温下,利用磁控溅射在P型Si(111)衬底上沉积了铜(Cu)膜.用原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间制备的Cu膜形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时膜在硅衬底上成核和生长方式.Cu膜在Si衬底生长时,Cu的临界核以Volmer-Weber模式生长.溅射时,核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜.随着沉积的进行,Cu膜表面粗糙度由于晶粒凝聚和合并而增大.当形成连续致密的、具有一定晶向的Cu膜时,粗糙度反而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李公平	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	75	243	7.0	12.0
2	何山虎	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	7	77	5.0	7.0
3	包良满	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	4	39	3.0	4.0
4	曹博	兰州大学物理科学与技术学院现代物理系	3	26	3.0	3.0