CMOS 射频低噪声放大器的设计

• 作者: 余宁梅 王磊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 CMOS射频集成电路 CMOS射频低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 489-493
• 页数: 5页
• 分类号: TN924
• 字数: 3041字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.008

摘要

讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法.在此基础上,采用SMIC 0.25 μm CMOS工艺库,给出了3.8 GHz CMOS LNA的设计方案.HSPICE仿真结果表明:电路的功率增益为13.48dB,输入、输出匹配良好,噪声系数为2.9dB,功耗为46.41 mw.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余宁梅	西安理工大学电子工程系	97	476	11.0	15.0
2	王磊	西安理工大学电子工程系	62	396	12.0	17.0