桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制

• 作者: 吴凤江 孙力 王有琨 高晗璎
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 逆变器 振荡
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TM131.2
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2615.2005.01.007

摘要

为解决功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题,从MOSFET的模型入手,给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型,深入分析了栅极振荡的产生机理,推导了各参数与振荡之间的关系表达式,绘制了以各参数为自变量的振荡三维时域暂态关系曲线,并以此为依据进行参数优化设计,通过增加MOSFET开通时间,最大程度地抑制振荡.理论分析和实验结果表明,改进后的驱动电路简单、实用,实现了系统的安全稳定运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙力	哈尔滨工业大学电气工程系	164	2313	25.0	43.0
2	高晗璎	哈尔滨工业大学电气工程系	14	189	8.0	13.0
3	吴凤江	哈尔滨工业大学电气工程系	64	754	15.0	26.0
4	王有琨	哈尔滨工业大学电气工程系	6	118	5.0	6.0