基于NbN,AlN技术的体声波器件研究

• 作者: 吴培亨 康琳 谢仁艿 陈亚军 韦戌
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 体声波 谐振器 薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 283-288
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 2156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.018

摘要

体声波滤波器由于其低插损、小尺寸、高带外抑制等特性,随着第三代移动通信以及蓝牙技术的发展而得到广泛研究,而MEMS技术和压电薄膜制备技术的进一步发展使高性能的体声波滤波器制作成为可能. 我们以单晶MgO作为器件衬底,MgO/NbN多层结构作为AlN薄膜体声波器件的反射器,NbN/AlN/NbN三层结构为谐振器.在这样的多层结构的设计中由于各种材料之间的晶格失配小,可以获得从几十纳米到几百纳米厚度不等的单晶AlN薄膜.通过控制AlN薄膜和NbN薄膜的不同厚度,可以获得不同频段范围的谐振器. 压电薄膜的质量,以及体声波在多层结构界面上的能量损耗,直接影响到谐振器电学性能.基于AlN材料的压电性能,设计了NbN/AlN/NbN三层结构的谐振器,并进行了数值模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	陈亚军	南京大学超导电子学研究所	28	116	7.0	9.0
3	康琳	南京大学超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
4	韦戌	南京大学超导电子学研究所	2	7	2.0	2.0
5	谢仁艿	南京大学超导电子学研究所	2	7	2.0	2.0