半导体中超快过程的研究

• 作者: 凌严 李汐 陆昉 黄仕华
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 飞秒脉冲激光 半导体 动量弛豫 能量弛豫
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 第十二届全国凝聚态物质光学性质学术会议邀请报告选编
• 页码范围: 179-181
• 页数: 3页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 1018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.03.004

摘要

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散射几率下降,使动量弛豫时间增加至130飞秒.用超快反射谱法测量了载流子的能量弛豫过程和扩散过程,用高能量激光激发得到载流子的能量弛豫时间约为几个皮秒,这与载流子与声子的散射几率密切相关;而用低能量激光激发可得到光生载流子的扩散时间约为1百皮秒量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆昉	复旦大学表面物理国家重点实验室	10	198	5.0	10.0
2	李汐	复旦大学表面物理国家重点实验室	2	12	2.0	2.0
3	黄仕华	复旦大学表面物理国家重点实验室	1	5	1.0	1.0
4	凌严	复旦大学表面物理国家重点实验室	1	5	1.0	1.0