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摘要:
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90 nm CMOS工艺下串扰延迟及其测量电路的研究
超深亚微米(UDSM)
串扰延迟
CMOS工艺
保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响
保护环
深亚微米
器件模拟
单粒子辐照
寄生双极效应
基于XDSL 串扰噪声的应对技术分析研究
噪声容限
串扰
自适应速率调整
虚拟噪声
人工噪声
高速数字系统的串扰问题分析
高速数字电路
信号完整性
串扰
Hyperlynx
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 130nm串扰延迟的处理技术
来源期刊 电子设计技术 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 技术论坛
研究方向 页码范围 76-82
页数 4页 分类号 TP3
字数 5348字 语种 中文
DOI
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计技术
月刊
1023-7364
11-3617/TN
16开
北京市
1994
chi
出版文献量(篇)
5532
总下载数(次)
6
总被引数(次)
1789
论文1v1指导