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摘要:
采用扰动法对使用Cz(Czochralski)法非线性晶体生长过程中提拉速度和熔液平均温度场进行了数值模拟研究,实验结果可用于实现晶体等径生长中提拉速度和熔液平均温度的预测控制.研究表明,熔液平均温度(提拉速度)不变时,提拉速度(熔液平均温度)随环境毕奥数的增加和/或熔液毕奥数的减小而增大.进一步研究,熔液若不会组分过冷,可以得到提拉速度的最大值,并在整个生长过程中,必须控制提拉速度小于它的临界上限,否则晶体生长过程将失败.
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内容分析
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文献信息
篇名 扰动法非线性晶体生长过程数值模拟研宓
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 晶体生长 扰动法 数值模拟
年,卷(期) 2005,(8) 所属期刊栏目 IC制造与设备
研究方向 页码范围 19-24
页数 6页 分类号 TF806.9
字数 5045字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.08.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王岩 西安理工大学自动化与信息工程学院 6 16 3.0 4.0
2 李敏远 西安理工大学自动化与信息工程学院 46 454 12.0 19.0
传播情况
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
晶体生长
扰动法
数值模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
总被引数(次)
10002
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