纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术

• 作者: 徐健 戴庆元 朱华平
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米级CMOS电路 漏电流组成 功耗 降低技术
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与应用
• 页码范围: 52-55,58
• 页数: 5页
• 分类号: TN301
• 字数: 3861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.01.014

摘要

随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴庆元	上海交通大学微纳米技术研究院	65	299	10.0	13.0
2	徐健	上海交通大学微纳米技术研究院	13	62	5.0	7.0
3	朱华平	上海交通大学微纳米技术研究院	3	23	2.0	3.0