纳米级CMOS集成电路的单粒子效应及其加固技术

• 作者: 刘家齐 刘琳 孙永姝 岳素格 王丹 王亮 王汉宁 赵元富
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 纳米级 单粒子效应 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 2511-2518
• 页数: 8页
• 分类号: TN43
• 字数: 3539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.027

摘要

空间应用的集成电路受到辐射效应的影响,会出现瞬态干扰、数据翻转、性能退化、功能失效甚至彻底毁坏等问题.随着器件特征尺寸进入到100nm以下(以下简称纳米级),这些问题的多样性和复杂性进一步增加,单粒子效应成为集成电路在空间可靠性应用的主要问题,给集成电路的辐射效应评估和抗辐射加固带来了诸多挑战.本文以纳米级CMOS集成电路为研究对象,结合近年来国内外的主要技术进展,介绍研究团队在65 nm集成电路单粒子效应和加固技术方面的研究成果,包括首次提出的单粒子时域测试和分析方法、单粒子多节点翻转加固方法和单粒子瞬态加固方法等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元富		28	104	6.0	8.0
2	岳素格		28	96	5.0	8.0
3	王亮		9	31	3.0	5.0
4	王汉宁		3	3	1.0	1.0
5	刘家齐		4	5	2.0	2.0
6	刘琳		4	4	2.0	2.0
7	王丹		2	5	2.0	2.0
8	孙永姝		4	13	3.0	3.0